Против облучения продуктов.

     Обращение общественных организаций Республики Татарстан (см. «Звезда Поволжья» 26 февраля – 4 марта 2015 г.) против радиационного облучения продуктов питания получило поддержку со стороны ученых, в том числе и со стороны известного Вcepосcийcкого научно-исследовательского института электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ). В адрес Антиядерного общества Татарстана пришло нижеследующее письмо, которое коллектив института 8 апреля 2015 года направил в Роспотребнадзор.

     Руководителю Федеральной службы по надзору
в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека –
главному государственному санитарному врачу Российской Федерации
А.Ю. Поповой
     

Уважаемая Анна Юрьевна!

     Коллектив ФГБНУ ВИЭСХ с момента своего создания (1930) ведет научные исследования по влиянию электромагнитных пoлeй на биологические объекты сельского хозяйства. За время этих исследований у нас сформировалась однозначная оценка данного влияния:
     – любое внешнее воздействие, в том числе и электромагнитные поля, оказывают влияние на биологические объекты;
     – для изучения последствий данного влияния необходимы многофакторные многолетние исследования.
     Поэтому наш коллектив с большой тревогою воспринял информацию о том, что Роспотребнадзор рассматривает вопрос о разрешении в России технологии холодной электронной пастеризации (облучения) продуктов. Считаем, что все ссылки на международный опыт использования радиационной обработки пищевых продуктов аналогичны ссылкам использования генномодифицированных продуктов. Здоровье народа дороже, чем интересы частных компаний. Научные исследования, проводившиеся в нашей стране, не подтвердили безопасности для людей данного вида обработки. 
     Коллектив ФГБКУ ВИЭСХ обращается к вам с предложением запретить использование радиационного облучения для обеззараживания продуктов питания и сельхозсырья, а также закупки, продажу и использование на территории России продуктов питания, подвергшихся радиационному облучению. 

С уважением
директор, академик РАН
Стребков Д.С.